DMT10H009LK3-13, MOSFETs MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070062060
- Артикул
- DMT10H009LK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 14.9 ns
- Rise Time:
- 10.6 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 14.9 ns |
| Rise Time: | 10.6 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 1.7Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.7W |
| Pd - Power Dissipation: | 1.7 W |
| Квалификация | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.309nF@50V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28.3 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 90A |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.0067Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9 mOhms |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 90А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.7Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0067Ом |