Моя заявка (0)
DMPH6250S-7, Транзистор: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043008585
Артикул
DMPH6250S-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
39.1 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
13.4 ns
Цена по запросу
(от 143 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:39.1 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:13.4 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8.3 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:920 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:12.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:96 ns
Id - Continuous Drain Current:2.4 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:155 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация