Моя заявка (0)
DMPH6250S-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 10K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024578733
Артикул
DMPH6250S-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
39.1 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
13.4 ns
Цена по запросу
(от 59,21 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:39.1 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:13.4 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsot23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:8.3 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:10000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:920 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:12.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:96 ns
Id - Continuous Drain Current:2.4 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:155 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В41
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация