Моя заявка (0)
DMPH4015SSS-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059528
Артикул
DMPH4015SSS-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
138 ns
Rise Time:
10 ns
Вес, г
60
Цена по запросу
(от 173,05 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:138 ns
Rise Time:10 ns
Вес, г60
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-8
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:91 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:13.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:303 ns
Id - Continuous Drain Current:11.4 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:26 S
Rds On - Drain-Source Resistance:9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация