DMPH4013SK3-13, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566951
- Артикул
- DMPH4013SK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 6.2mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.55
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление в режиме включения (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.
Технические параметры
| Width | 6.2mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.55 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 67 nC |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.7 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 67 nC @ 10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 55 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 23 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 55 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |