Моя заявка (0)

DMP6250SE-13, Trans MOSFET P-CH 60V 2.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

DMP6250SE-13, Trans MOSFET P-CH 60V 2.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002184900
Артикул
DMP6250SE-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMP6250
Fall Time:
39.8 ns
Rise Time:
10.3 ns
Цена по запросу
(от 62 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMP6250
Fall Time:39.8 ns
Rise Time:10.3 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-223
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:9.7 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:91.4 ns
Id - Continuous Drain Current:1.9 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:300 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация