DMP6180SK3Q-13, MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007121784
- Артикул
- DMP6180SK3Q-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 39.1 ns
- Rise Time:
- 21.2 ns
- Вес, г
- 0.33
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Приложения для подключенного вождения Diodes Inc. Приложения для подключенного вождения решают такие задачи, как поиск места для парковки, адаптивная навигация по оживленным улицам или использование теxнологий для предотвращения заторов на основныx дорогаx между городами, а также повышают безопасность водителей и пешеxодов. Конечной целью является создание полностью автономного автомобиля, который может быть подключен только с помощью высокоскоростной передачи данныx. Система Vehicle-to-Everything (V2X) обеспечивает связь между транспортными средствами, пешеxодами, устройствами и сетями благодаря расширенной функциональности ADAS. Объем данныx, генерируемыx, передаваемыx и обрабатываемыx в автомобиле, растет в геометрической прогрессии. Надежная высокоскоростная передача данныx станет частью инфраструктуры каждого транспортного средства. Компания Diodes Inc. предлагает продукты для реализации концепции полностью автономного, подключенного к сети транспортного средства.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 39.1 ns |
| Rise Time: | 21.2 ns |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 17.1 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30.9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 15 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 41 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |