Моя заявка (0)

DMP6110SVT-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -6,5А, 1,2Вт, TSOT26

DMP6110SVT-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -6,5А, 1,2Вт, TSOT26

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8041297094
Артикул
DMP6110SVT-7
Бренд
DIODES INC.
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 57,68 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канал 60 В 7,3 А (Tc) 1,2 Вт (Ta) для поверxностного монтажа TSOT-23-6

Технические параметры

FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.1
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 4.5A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)1.2W(Ta)
Supplier Device PackageTSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds969 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.3A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-12 V, +12 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1.2
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация