Моя заявка (0)

DMP6110SSDQ-13, 60V 3.3A 1.2W 105mOhm@10V,4.5A 1V@250uA 1 PIece P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS

DMP6110SSDQ-13, 60V 3.3A 1.2W 105mOhm@10V,4.5A 1V@250uA 1 PIece P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070058299
Артикул
DMP6110SSDQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMP6110
Fall Time:
42 ns
Rise Time:
23 ns
Цена по запросу
(от 147 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMP6110
Fall Time:42 ns
Rise Time:23 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-8
Transistor Type:2 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:17.2 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:1.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:4.4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:34 ns
Id - Continuous Drain Current:7.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:80 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация