Моя заявка (0)

Diodes Inc DMP6110 P-Channel MOSFET, 4.2 A, 60 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP6110SFDFQ-7

Diodes Inc DMP6110 P-Channel MOSFET, 4.2 A, 60 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP6110SFDFQ-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014539119
Артикул
DMP6110SFDFQ-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series
DMP6110
Pin Count
6
Fall Time:
42 ns
Цена по запросу
(от 144,58 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор DiodesZetex 60 В, 6-контактный, с режимом усиления P-канала, разработан в соответствии со строгими требованиями автомобильного применения.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
SeriesDMP6110
Pin Count6
Fall Time:42 ns
Rise Time:23 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeU-DFN2020
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:U-DFN2020-6
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:17.2 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.97 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:4.4 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:34 ns
Id - Continuous Drain Current:4.2 A
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.13 Ω
Maximum Continuous Drain Current4.2 A
Rds On - Drain-Source Resistance:130 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация