Моя заявка (0)
DMP6110SFDF-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006260596
Артикул
DMP6110SFDF-7
Бренд
DIODES INC.
Type
P Channel
Grade
Automotive
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±20V
Цена по запросу
(от 74,99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канал 60 В 4,2 А (Ta) 1,97 Вт (Ta) для поверxностного монтажа U-DFN2020-6 (тип F)

Технические параметры

TypeP Channel
GradeAutomotive
FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)1.97W
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 4.5A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)1.97W(Ta)
Supplier Device PackageU-DFN2020-6(Type F)
Total Gate Charge (Qg@Vgs)17.2nC@10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)969pF@30V
Continuous Drain Current (Id)4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds969 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.2A(Ta)
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.97
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)110mΩ@4.5A, 10V

Техническая документация