DMP6050SSD-13, Транзистор: P-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015555432
- Артикул
- DMP6050SSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SO8
- RoHS
- Details
- Brand
- Diodes Incorporated
- Brand:
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 135,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Case | SO8 |
| RoHS | Details |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMP6050 |
| Series: | DMP6050 |
| Mounting | SMD |
| Fall Time | 25.3 ns, 25.3 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 6.3 ns, 6.3 ns |
| Fall Time: | 25.3 ns |
| Rise Time: | 6.3 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.16 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 2 P-Channel |
| Drain current | -3.9A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-8 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type | 2 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 24 nC, 24 nC |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Power dissipation | 1.2W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 24 nC |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Type of transistor | P-MOSFET x2 |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| On-state resistance | 55mΩ |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Drain-source voltage | -60V |
| Pulsed drain current | -32A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 1.2 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V, +/-20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 4.3 ns, 4.3 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 46.7 ns, 46.7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current | -11.3 A, -11.3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 11.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 36 mOhms, 36 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -60 V, -60 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -3 V, -3 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |