Моя заявка (0)
DMP6023LFGQ-7, Транзистор: P-MOSFET; полевой

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017546560
Артикул
DMP6023LFGQ-7
Бренд
DIODES INC.
Type
P Channel
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.5
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 101,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 В 7,7 А, 1 Вт 25 Мом при 5 А, 10 В 3 В при 250uA P-канал PowerDI3333-8 МОП-транзисторов ROHS

Технические параметры

TypeP Channel
Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.5
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:PowerDI3333-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:53.1 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Operating Temperature-55℃~+155℃@(Tj)
Factory Pack Quantity:2000
Power Dissipation (Pd)1W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.1 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)53.1nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.569nF@30V
Continuous Drain Current (Id)7.7A
Id - Continuous Drain Current:7.7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:25 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)25mΩ@5A, 10V

Техническая документация