Моя заявка (0)
DMP6018LPSQ-13, PowerDI5060-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025171891
Артикул
DMP6018LPSQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
7.2 ns
Rise Time:
6.7 ns
Вес, г
0.27
Цена по запросу
(от 405,19 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:7.2 ns
Rise Time:6.7 ns
Вес, г0.27
No. of Pins8Pins
Technology:Si
Channel TypeP Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
QualificationAEC-Q101
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13.7 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Polarity:P-Channel
Transistor Case StylePowerDI 5060
Power Dissipation (Pd)2.6W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:113 W
Drain Source Voltage Vds60V
Operating Temperature Max150°C
Total Gate Charge (Qg@Vgs)7.1nC@4.5V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Continuous Drain Current Id60A
Typical Turn-On Delay Time:3.9 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)3.505nF@30V
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns
Continuous Drain Current (Id)60A
Id - Continuous Drain Current:60 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Rds On - Drain-Source Resistance:26 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)200pF@30V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)26mΩ@4.5V, 50A

Техническая документация