DMP56D0UV-7, MOSFETs P-Ch ENH -50V 6Ohm FET -4V Vgs -200mA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059516
- Артикул
- DMP56D0UV-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 15 ns
- Rise Time:
- 6.63 ns
- Вес, г
- 9
Цена по запросу
(от 75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 6.63 ns |
| Вес, г | 9 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-563-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 580 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.46 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21.9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 160 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6Ω@100mA, 4V |