Моя заявка (0)

DMP56D0UFB-7B, 50V 200A 6Ohm@100mA,4V 425mW P Channel X1-DFN1006-3 MOSFETs

DMP56D0UFB-7B, 50V 200A 6Ohm@100mA,4V 425mW P Channel X1-DFN1006-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043844832
Артикул
DMP56D0UFB-7B
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMP56
Fall Time:
15 ns
Rise Time:
6.63 ns
Цена по запросу
(от 10 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMP56
Fall Time:15 ns
Rise Time:6.63 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:X1-DFN1006-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:580 pC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:425 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:4.46 ns
Typical Turn-Off Delay Time:21.9 ns
Id - Continuous Drain Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:100 mS
Rds On - Drain-Source Resistance:6 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:50 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000

Техническая документация