DMP510DL-7, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070226464
- Артикул
- DMP510DL-7
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
- Series:
- DMP510
Цена по запросу
(от 23,89 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | DMP510 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 7.2 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 2.6 ns |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 7.2 |
| Typical Rise Time (ns) | 2.6 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.25 S |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 2.8 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 50 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 11.1 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 Ohms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.18 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 24.6@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 10000@5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |