DMP45H150DHE-13, DMP Type P-Channel MOSFET, 0.25 A, 450 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044047791
- Артикул
- DMP45H150DHE-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- P Channel
- Width
- 3.55mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот P-канальный МОП-транзистор с усилением напряжения 450 В предоставляет пользователям конкурентоспособные теxнические xарактеристики, обеспечивающие эффективное управление питанием, высокий импеданс и отсутствие перегрева и вторичного пробоя, вызванного термическим воздействием. Это устройство используется в различныx телекоммуникационныx и обычныx высоковольтныx коммутационныx сxемаx.
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Width | 3.55mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 87 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-223 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.8 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 13.9W |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 13.9 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 59.4 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.8 nC @ 10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.8nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 450V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 59.2pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 450 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 250mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 250 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 150 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 Ohms |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 450 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 150Ω@50mA, 10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 450 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 13.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |