DMP4050SSD-13, Trans MOSFET P-CH 40V 5.2A 8-Pin SO T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001041272
- Артикул
- DMP4050SSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 96 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET P-CH 40V 5.2A с 8-контактным разъемом SO T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Серия | DMP40 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SO |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOP |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Fall Time (ns) | 12.6 |
| Typical Rise Time (ns) | 3.1 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2140 |
| Qg - заряд затвора | 6.9 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 13.9 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.9 4.5V|13.9 10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 1.9 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 31.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 674 20V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 50 10V |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 38 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 14 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |