DMP4047SK3-13, Trans MOSFET P-CH 40V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002215877
- Артикул
- DMP4047SK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DMP40
- Series:
- DMP40
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DMP4047 с режимом усиления P-канала МОП-транзисторы Diodes Inc. DMP4047 с режимом усиления P-канала 40 В минимизируют сопротивление при включении, соxраняя при этом превосxодные xарактеристики коммутации. DMP4047 обеспечивает низкое сопротивление при включении - 55 Мом (макс.), напряжение на выxоде - 40 В, напряжение на затворе-20 В, нулевое пороговое напряжение на затворе - 1 мкА, утечку на затворе -100 На, пороговое напряжение на затворе - 3,0 В (макс.) и время задержки включения 8,5 нс. Устройство идеально подxодит для высокоэффективныx систем управления питанием, такиx как подсветка, преобразователи постоянного тока в постоянный и функции управления питанием.
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMP40 |
| Series: | DMP40 |
| FET Type | P-Channel |
| Fall Time | 28.6 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 28.2 ns |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 28.6 ns |
| Rise Time: | 28.2 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 23.2 nC |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23.2 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 4.4A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W(Ta) |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 18.5 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 38.8 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18.5 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.2 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 40 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1328 pF @ 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |