DMP4047LFDE-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 U-DFN2020-6 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059507
- Артикул
- DMP4047LFDE-7
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.21.00.95
- Width
- 2.05mm
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
Цена по запросу
(от 89,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -40В, -4,9А, 0,7Вт, U-DFN2020-6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| HTS | 8541.21.00.95 |
| Width | 2.05mm |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | DMP4047 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | U-DFN2020 |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 2 |
| Package Height | 0.57 |
| Package Length | 2 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | UDFN EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | DFN |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 28.6 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 28.6 |
| Typical Rise Time (ns) | 28.2 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23.2 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | U-DFN2020-E-6 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2100 |
| Qg - заряд затвора | 23.2 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 23.2 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11.2@4.5V|23.2@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 18.4 |
| Время нарастания | 28.2 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 38.8 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1382@20V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 33@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 33 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 38.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18.4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 31 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.2 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |