Моя заявка (0)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 7.2 A, 40 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP4025SFG-7

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 7.2 A, 40 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP4025SFG-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8990788012
Артикул
DMP4025SFG-7
Бренд
DIODES INC.
Width
3.35mm
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMP40
Pin Count
8
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Width3.35mm
Brand:Diodes Incorporated
Series:DMP40
Pin Count8
Fall Time:30.9 ns
Rise Time:14.7 ns
Вес, г5
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypePowerDI3333-8
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI3333-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:14 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:810 mW
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation810 mW
Typical Gate Charge @ Vgs33.7 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:6.9 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:53.7 ns
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Id - Continuous Drain Current:7.2 A
Maximum Gate Threshold Voltage1.8V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:16.6 S
Maximum Drain Source Resistance45 mΩ
Maximum Continuous Drain Current7.2 A
Rds On - Drain-Source Resistance:25 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация