Моя заявка (0)

Diodes Inc DMP4025LK3Q P-Channel MOSFET, 8.6 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMP4025LK3Q-13

Diodes Inc DMP4025LK3Q P-Channel MOSFET, 8.6 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMP4025LK3Q-13

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014552638
Артикул
DMP4025LK3Q-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series
DMP4025LK3Q
Pin Count
3
Fall Time:
30.9 ns
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канальные МОП-транзисторы DiodesZetex серии DMP4025LK3Q разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
SeriesDMP4025LK3Q
Pin Count3
Fall Time:30.9 ns
Rise Time:14.7 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeDPAK(TO-252)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:33.7 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.7 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:6.9 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:53.7 ns
Id - Continuous Drain Current:8.6 A
Maximum Gate Threshold Voltage1.8V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:16.6 S
Maximum Drain Source Resistance0.25 O
Maximum Continuous Drain Current8.6 A
Rds On - Drain-Source Resistance:25 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация