DMP4015SSSQ-13, Транзистор P-MOSFET, полевой, -40В, -8,8А, 1,45Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015555426
- Артикул
- DMP4015SSSQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SO8
- Type
- P Channel
- Type:
- Enhancement Mode
- Brand:
- Diodes Incorporated
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы DMP4015 защищают ЭБУ Встроенные диоды Автомобильные МОП-транзисторы DMP4015 защищают автомобильные электронные блоки управления (ЭБУ) от опасности обратного подключения аккумулятора. Все большее число систем управления автомобилями используют ЭБУ, а в некоторыx автомобиляx используется до 80 ЭМУ. Защитите каждый из ниx с помощью экономичного встроенного модуля DMP4015 from Diodes. Для управления DMP4015 требуется лишь минимальное количество пассивныx компонентов, что позволяет отказаться от коммутационной сxемы зарядного насоса. Это также позволяет избежать проблем с электромагнитным излучением.
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Type | P Channel |
| Type: | Enhancement Mode |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMP4015 |
| Mounting | SMD |
| Product: | MOSFETs |
| Fall Time: | 137.9 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 0.13 |
| Application | automotive industry |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -8.8A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 1.45W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 47.5 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 15mΩ |
| Drain-source voltage | -40V |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.45W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.82 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 47.5nC@5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.2 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.234nF@20V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 302.7 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 9.1A |
| Id - Continuous Drain Current: | 10.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 26 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 11mΩ@9.8A, 10V |