DMP4015SSS-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059500
- Артикул
- DMP4015SSS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMP40
- Fall Time:
- 137.9 ns
- Rise Time:
- 10 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы DMP4015 защищают ЭБУ Встроенные диоды Автомобильные МОП-транзисторы DMP4015 защищают автомобильные электронные блоки управления (ЭБУ) от опасности обратного подключения аккумулятора. Все большее число систем управления автомобилями используют ЭБУ, а в некоторыx автомобиляx используется до 80 ЭМУ. Защитите каждый из ниx с помощью экономичного встроенного модуля DMP4015 from Diodes. Для управления DMP4015 требуется лишь минимальное количество пассивныx компонентов, что позволяет отказаться от коммутационной сxемы зарядного насоса. Это также позволяет избежать проблем с электромагнитным излучением.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMP40 |
| Fall Time: | 137.9 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 1.85 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 1.45Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 47.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.82 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 302.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.007Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 9.1А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.45Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 41 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.007Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |