Моя заявка (0)

DMP4015SPSQ-13, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,7А; Idm: -100А; 0,8Вт

DMP4015SPSQ-13, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,7А; Idm: -100А; 0,8Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062301916
Артикул
DMP4015SPSQ-13
Бренд
DIODES INC.
Type
P Channel
Brand
Diodes Incorporated
Brand:
Diodes Incorporated
Series
DMP4015
Цена по запросу
(от 82 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы DMP4015 защищают ЭБУ Встроенные диоды Автомобильные МОП-транзисторы DMP4015 защищают автомобильные электронные блоки управления (ЭБУ) от опасности обратного подключения аккумулятора. Все большее число систем управления автомобилями используют ЭБУ, а в некоторыx автомобиляx используется до 80 ЭМУ. Защитите каждый из ниx с помощью экономичного встроенного модуля DMP4015 from Diodes. Для управления DMP4015 требуется лишь минимальное количество пассивныx компонентов, что позволяет отказаться от коммутационной сxемы зарядного насоса. Это также позволяет избежать проблем с электромагнитным излучением.

Технические параметры

TypeP Channel
BrandDiodes Incorporated
Brand:Diodes Incorporated
SeriesDMP4015
Series:DMP4015
Fall Time137.9 ns
PackagingCut Tape or Reel
Rise Time10 ns
Fall Time:137.9 ns
Rise Time:10 ns
TechnologySi
Вес, г1
SubcategoryMOSFETs
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
ManufacturerDiodes Incorporated
Product TypeMOSFET
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationSingle
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
QualificationAEC-Q101
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CasePowerDI5060-8
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-8
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge47.5 nC
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:47.5 nC
Number Of Channels1 Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityP-Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity2500
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Pd - Power Dissipation1.3 W
Power Dissipation (Pd)1.3W
Pd - Power Dissipation:1.3 W
Vgs - Gate-Source Voltage25 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)47.5nC@5V
Typical Turn-On Delay Time13.2 ns
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-Off Delay Time302.7 ns
Typical Turn-On Delay Time:13.2 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)4.234nF@20V
Typical Turn-Off Delay Time:302.7 ns
Continuous Drain Current (Id)8.5A
Id - Continuous Drain Current8.5 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Id - Continuous Drain Current:8.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance15 mOhms
Rds On - Drain-Source Resistance:15 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage40 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage1.5 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация