DMP4015SPS-13, Транзистор P-MOSFET, полевой, -40В, -14,5А, 1,3Вт, PowerDI®5060-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019891747
- Артикул
- DMP4015SPS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 6mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMP40
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 122,43 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Width | 6mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMP40 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 137.9 nS |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerDI5060-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI5060-8 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 47.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 47.5 nC @ 5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 302.7 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.5 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 26 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 15 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.3 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |