Моя заявка (0)

DMP4013LFGQ-13, 40V 10.3A 13mOhm@10A,10V 1W 3V@250uA P Channel PowerDI3333-8 MOSFETs ROHS

DMP4013LFGQ-13, 40V 10.3A 13mOhm@10A,10V 1W 3V@250uA P Channel PowerDI3333-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8037267110
Артикул
DMP4013LFGQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
83 ns
Rise Time:
20 ns
Вес, г
0.09
Цена по запросу
(от 154,27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:83 ns
Rise Time:20 ns
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:PowerDI3333-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:68.6 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:126 ns
Id - Continuous Drain Current:13.7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:18 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)13мОм

Техническая документация