Моя заявка (0)

DMP4011SK3Q-13, 40V 11mOhm@10V,9.8A 2.5V@250uA 1 pIece P-channel TO-252(DPAK) MOSFETs ROHS

DMP4011SK3Q-13, 40V 11mOhm@10V,9.8A 2.5V@250uA 1 pIece P-channel TO-252(DPAK) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062301900
Артикул
DMP4011SK3Q-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
138 ns
Rise Time:
6.5 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 170,83 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:138 ns
Rise Time:6.5 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-4
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:52 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:3.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:222 ns
Id - Continuous Drain Current:74 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:19 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V

Техническая документация