DMP4006SPSWQ-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60 V PowerDI5060-8 T&R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022600131
- Артикул
- DMP4006SPSWQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 228 ns
- Rise Time:
- 32 ns
- Вес, г
- 0.1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные МОП-транзисторы DMP4006SPSWQ с 40-вольтовым режимом усиления P-канала DMP4006SPSWQ с 40-вольтовым режимом усиления P-канала MOSFET разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильного применения. Он соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживается PPAP. Встроенные диоды DMP4006SPSWQ обеспечивают 100%-ную проверку индуктивного выключателя (UIS) при производстве, низкое сопротивление при включении и высокую скорость переключения. Устройство поставляется в смачиваемом корпусе для улучшения оптического контроля, не содержит свинца, соответствует требованиям RoHS, не содержит галогенов и сурьмы, является “зеленым” устройством. Типичные области применения включают защиту от обратной полярности, управление двигателем постоянного тока, функции управления питанием и переключение системы/нагрузки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 228 ns |
| Rise Time: | 32 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | PowerDI5060-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 162 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 469 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 41 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |