Моя заявка (0)

DMP34M4SPS-13, 30V 135A 1.5W 3.8mOhm@20A,10V P Channel PowerDI5060-8 MOSFETs

DMP34M4SPS-13, 30V 135A 1.5W 3.8mOhm@20A,10V P Channel PowerDI5060-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025167243
Артикул
DMP34M4SPS-13
Бренд
DIODES INC.
Width
5.1mm
Pin Count
8
Вес, г
0.41
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 81,94 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот МОП-транзистор нового поколения разработан таким образом, чтобы свести к минимуму RDS (ВКЛ.) и при этом соxранить превосxодную производительность коммутации.

Технические параметры

Width5.1mm
Pin Count8
Вес, г0.41
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypePowerDI5060-8
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураP-Channel
Forward Diode Voltage1.2V
Power Dissipation (Pd)1.5W
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation3 W
Typical Gate Charge @ Vgs127 nC @ 10V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)127nC@10V
Maximum Gate Source Voltage±25 V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)3.775nF@15V
Maximum Drain Source Voltage30 V
Continuous Drain Current (Id)135A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.6V
Minimum Gate Threshold Voltage1.6V
Maximum Drain Source Resistance6 mΩ
Maximum Continuous Drain Current21 A
Пороговое напряжение на затворе2.6V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А135
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.8mΩ@20A, 10V

Техническая документация