Моя заявка (0)

DMP32D9UFZ-7B, 30V 200mA 5Ohm@100mA,4.5V 390mW 1V@250uA 1 PIece P-Channel X2-DFN0606-3 MOSFETs ROHS

DMP32D9UFZ-7B, 30V 200mA 5Ohm@100mA,4.5V 390mW 1V@250uA 1 PIece P-Channel X2-DFN0606-3 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070181561
Артикул
DMP32D9UFZ-7B
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMP32
Fall Time:
10.5 ns
Rise Time:
2.3 ns
Цена по запросу
(от 48,21 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Миниатюрные МОП-транзисторы DMxx с режимом усиления мощности МОП-транзисторы Diode Inc. DMxx с режимом усиления мощности разработаны таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление в режиме включения (R DS(ON)). Они обеспечивают превосxодную коммутационную способность, что делает иx идеальными для высокоэффективныx систем управления питанием. DMN31D5UFZ и DMN2990UFZ являются МОП-транзисторами с N-канальным режимом усиления, а DMP32D9UFZ - МОП-транзисторами с P-канальным режимом усиления.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMP32
Fall Time:10.5 ns
Rise Time:2.3 ns
Вес, г0.44
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:X2-DFN0606-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:350 pC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:390 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:3.1 ns
Typical Turn-Off Delay Time:19.9 ns
Id - Continuous Drain Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:10 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000

Техническая документация