Моя заявка (0)
DMP32D4S-13, MOSFETs P-Ch ENH FET -30V 2.4Ohm -10V -300mA

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059490
Артикул
DMP32D4S-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMP32
Fall Time:
21.9 ns
Rise Time:
11.5 ns
Цена по запросу
(от 41,84 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMP32
Fall Time:21.9 ns
Rise Time:11.5 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1.2 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:540 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9.86 ns
Typical Turn-Off Delay Time:31.8 ns
Id - Continuous Drain Current:300 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:6 S
Rds On - Drain-Source Resistance:2.4 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000
Пороговое напряжение на затворе2.4V@250uA
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.37
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.4Ом

Техническая документация