Моя заявка (0)

DMP31D0UFB4-7B, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN1006-3 T&R 10K

DMP31D0UFB4-7B, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN1006-3 T&R 10K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059489
Артикул
DMP31D0UFB4-7B
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
11
Серия
DMP31
Структура
P-Channel
Технология
Si
Цена по запросу
(от 64,24 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30 X2-DFN1006-3 T&R 10K

Технические параметры

Вес, г11
СерияDMP31
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада16.6 ns
Power Dissipation (Pd)460mW
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)900pC@4.5V
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокX2-DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)76pF@15V
Continuous Drain Current (Id)540mA
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора1.5 nC
Время нарастания5.85 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности460 mW
Id - непрерывный ток утечки760 mA
Размер фабричной упаковки10000
Vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток450 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе1.1V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+150 C
Типичное время задержки выключения35.7 ns
Типичное время задержки при включении4.98 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.71
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В8 V, +8 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)450 mOhms

Техническая документация