Моя заявка (0)

DMP3130L-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -2,6А, 400мВт, SOT23

DMP3130L-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -2,6А, 400мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017538279
Артикул
DMP3130L-7
Бренд
DIODES INC.
Type
P Channel
Brand:
Diodes Incorporated
Product:
MOSFET Small Signals
Fall Time:
15 ns
Цена по запросу
(от 28 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 3,5 А 77 Мом при 10 В, 4,2А 700 МВт 1.3V@250uA P-канальные МОП-транзисторы SOT-23 соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

TypeP Channel
Brand:Diodes Incorporated
Product:MOSFET Small Signals
Fall Time:15 ns
Rise Time:6.5 ns
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsot23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:11.8 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)700mW
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.3 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)12nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:4.6 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)432pF@15V
Typical Turn-Off Delay Time:27.8 ns
Continuous Drain Current (Id)3.5A
Id - Continuous Drain Current:4.1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8 S
Rds On - Drain-Source Resistance:77 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:600 mV
Пороговое напряжение на затворе1.3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)77mΩ@10V, 4.2A

Техническая документация