Моя заявка (0)
DMP3125L-7, Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002315196
Артикул
DMP3125L-7
Бренд
DIODES INC.
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -2А, 0,65Вт, SOT23

Технические параметры

FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
КорпусSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада13.1 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 3.8A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)650mW(Ta)
Supplier Device PackageSOT-23-3
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1 nC @ 4.5 V
Канальный режимEnhancement
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Qg - заряд затвора3.1 nC
Время нарастания6.3 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds254 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A(Ta)
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности1.2 W
Id - непрерывный ток утечки2.5 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток76 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения21.8 ns
Типичное время задержки при включении3.5 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.65
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В

Техническая документация