Моя заявка (0)

DMP3099L-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -2,9А, 1,08Вт, SOT23

DMP3099L-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -2,9А, 1,08Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048099762
Артикул
DMP3099L-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMP3099
Fall Time:
15 ns
Rise Time:
5 ns
Цена по запросу
(от 8 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMP3099
Fall Time:15 ns
Rise Time:5 ns
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусsot23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:11 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.08 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:4.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:31 ns
Id - Continuous Drain Current:3.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:65 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1.08
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.08
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация