DMP3099L-13, 30V 3.8A 1.08W 65mOhm@10V,3.8A 2.1V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017623935
- Артикул
- DMP3099L-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DMP3099
- Series:
- DMP3099
Цена по запросу
(от 34,63 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMP3099 |
| Series: | DMP3099 |
| Fall Time | 15 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 5 ns |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.05 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 11 nC |
| Power Dissipation | 1.08Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.08 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.08 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 4.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 31 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 3.8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.065Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 3.8А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.08Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.065Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.08 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 65 mOhms |