DMP3085LSS-13, MOSFETs P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.8A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004701712
- Артикул
- DMP3085LSS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.07
- Серия
- DMP3085
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 41,84 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.8A
Технические параметры
| Вес, г | 0.07 |
| Серия | DMP3085 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 14.6 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Время нарастания | 5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.6 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.8 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 14.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.8 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 70мОм |