DMP3056LSSQ-13, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003661048
- Артикул
- DMP3056LSSQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- P Channel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 20 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 113 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 4,9 А 1,2 Вт 45 Мом при 6 А, 10 В 2.1V@250uA P-канальные МОП-транзисторы SO-8 ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 20 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17.3 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.2W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17.3nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.7 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 969pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.9A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.025 Ом |