Моя заявка (0)

DMP3056LSD-13, Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -30В, -5,1А, 2,5Вт, SO8

DMP3056LSD-13, Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -30В, -5,1А, 2,5Вт, SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070139259
Артикул
DMP3056LSD-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMP3056
Product:
MOSFET Small Signal
Fall Time:
14.7 ns
Цена по запросу
(от 220 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMP3056
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time:14.7 ns
Rise Time:5.3 ns
Вес, г0.11
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-8
Transistor Type:2 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:6.8 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:6.4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:26.5 ns
Id - Continuous Drain Current:6.9 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8 S
Rds On - Drain-Source Resistance:45 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация