DMP3050LVT-7, Транзистор: P-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546566
- Артикул
- DMP3050LVT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMP3050
- Pin Count
- 6
- Fall Time:
- 12.4 ns
Цена по запросу
(от 23,80 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMP3050 |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 12.4 ns |
| Rise Time: | 4.9 ns |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | TSOT-26 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOT-26-6 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7.2 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |