Моя заявка (0)

DMP3037LSSQ-13, 30V 5.8A 1.2W 32mOhm@6A,10V 2.4V@250uA P Channel 969pF@15V 17.3nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) SO-8 MOSFETs

DMP3037LSSQ-13, 30V 5.8A 1.2W 32mOhm@6A,10V 2.4V@250uA P Channel 969pF@15V 17.3nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) SO-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070070750
Артикул
DMP3037LSSQ-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.1
Channel Type
P Channel
Упаковка
Reel, Cut Tape
Power Dissipation
1.2Вт
Цена по запросу
(от 63,62 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K

Технические параметры

Вес, г0.1
Channel TypeP Channel
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation1.2Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада20 ns
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSO-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора17.3 nC
Время нарастания5 ns
Drain Source On State Resistance0.019Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока5.8А
Рассеиваемая Мощность1.2Вт
Полярность транзистораP-Channel
Пороговое Напряжение Vgs2.4В
Pd - рассеивание мощности1.2 W
Id - непрерывный ток утечки5.8 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток32 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения43 ns
Типичное время задержки при включении4.7 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.4 V
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.019Ом

Техническая документация