Моя заявка (0)

DMP3037LSSQ-13, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 5.8 A, 0.019 ohm, SOIC, Surface Mount

DMP3037LSSQ-13, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 5.8 A, 0.019 ohm, SOIC, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003661047
Артикул
DMP3037LSSQ-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.2
Channel Type
P Channel
Упаковка
Reel, Cut Tape
Power Dissipation
1.2Вт
Цена по запросу
(от 108 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K

Технические параметры

Вес, г0.2
Channel TypeP Channel
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation1.2Вт
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада20 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSO-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора17.3 nC
Время нарастания5 ns
Drain Source On State Resistance0.019Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока5.8А
Рассеиваемая Мощность1.2Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.4В
Pd - рассеивание мощности1.2 W
Id - непрерывный ток утечки5.8 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток32 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Типичное время задержки выключения43 ns
Типичное время задержки при включении4.7 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.019Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.019 Ом

Техническая документация