Моя заявка (0)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 700 mA, 30 V, 3-Pin SOT-346 DMP3030SN-7

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 700 mA, 30 V, 3-Pin SOT-346 DMP3030SN-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8010430163
Артикул
DMP3030SN-7
Бренд
DIODES INC.
ECCN
EAR99
PPAP
No
HTSUS
8541.21.0095
Width
1.7mm
Цена по запросу
(от 83 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V 700mA

Технические параметры

ECCNEAR99
PPAPNo
HTSUS8541.21.0095
Width1.7mm
EU RoHSCompliant
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET TypeP-Channel
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
Vgs (Max)В±20V
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г5
Длина3.1 mm
СерияDMP3030
PCB changed3
Part StatusActive
RoHS StatusROHS3 Compliant
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-346
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1.3 mm
Ширина1.7 mm
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ПродуктMOSFET Small Signal
Product CategorySmall Signal
Supplier PackageSC-59
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA
СтруктураP-Channel
Base Product NumberDMP3030 ->
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Operating Temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Standard Package NameSC
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада45 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 400mA, 10V
Typical Fall Time (ns)40
Typical Rise Time (ns)25
Особенности-
Power Dissipation (Max)500mW (Ta)
Supplier Device PackageSC-59-3
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation500 mW
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Power Dissipation (mW)500
Maximum Drain Source Resistance450 mΩ
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Время нарастания25 ns
Maximum Continuous Drain Current700 mA
Maximum Drain Source Voltage (V)30
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Typical Turn-Off Delay Time (ns)25
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160pF @ 10V
Maximum Continuous Drain Current (A)0.7
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)160 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)250 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C700mA (Ta)
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности500 mW
Id - непрерывный ток утечки700 mA
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения25 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.7
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.1 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В

Техническая документация