DMP3028LFDE-13, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566927
- Артикул
- DMP3028LFDE-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DMP3028
- Series:
- DMP3028
Цена по запросу
(от 40 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMP3028 |
| Series: | DMP3028 |
| Fall Time | 40.4 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 17.1 ns |
| Fall Time: | 40.4 ns |
| Rise Time: | 17.1 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.03 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | DFN-2020-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | U-DFN2020-E-6 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 10.9 nC |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.9 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Pd - Power Dissipation | 660 mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 660 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 9.7 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 60.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 5.3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 60 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.4 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.66 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |