DMP3015LSSQ-13, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566935
- Артикул
- DMP3015LSSQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- P Channel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 61.7 ns
- Rise Time:
- 12.4 ns
Цена по запросу
(от 214 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30В 13А 11 Мом при 13А, 10В 2,5 Вт 2В при 250uA P-канальные МОП-транзисторы SO-8 ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 61.7 ns |
| Rise Time: | 12.4 ns |
| Вес, г | 0.22 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 60.4 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 60.4nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.2 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.748nF@20V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 104.9 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 13A |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 15 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 17 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 11mΩ@13A, 10V |