Моя заявка (0)
DMP3012LPS-13, MOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 30Vgss 6807pF 139nC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005650463
Артикул
DMP3012LPS-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMP3012
Fall Time:
95 ns
Rise Time:
10.5 ns
Цена по запросу
(от 130,54 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMP3012
Fall Time:95 ns
Rise Time:10.5 ns
Tradename:PowerDI
Вес, г262
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-8
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:139 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.36 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8.9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:254 ns
Id - Continuous Drain Current:13.2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:8.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В

Техническая документация