DMP3010LK3-13, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -14,5А, 1,7Вт, TO252
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021967999
- Артикул
- DMP3010LK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- TO252
- Width
- 6.2mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMP3010
Цена по запросу
(от 106,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Case | TO252 |
| Width | 6.2mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMP3010 |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 99.3 ns |
| Rise Time: | 9.4 ns |
| Вес, г | 0.43 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -14.5A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 1.7W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 59.2 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 10.2mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -30V |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.7 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.4 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 59.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 260.7 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 30 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 10.2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8 mOhms |