Моя заявка (0)

DMP3007SPSQ-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

DMP3007SPSQ-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025005947
Артикул
DMP3007SPSQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
125 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
4.3 ns
Цена по запросу
(от 218 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:125 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:4.3 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:PowerDI5060-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:64.2 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.4 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:4.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:306 ns
Id - Continuous Drain Current:90 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В

Техническая документация